激光技術(shù)作為現(xiàn)代科技的核心支柱之一,在工業(yè)制造、醫(yī)療健康、信息通信、國防安全等領(lǐng)域發(fā)揮著日益關(guān)鍵的作用。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(以下簡稱“中科院半導(dǎo)所”)作為我國半導(dǎo)體科技研究的國家隊,在高功率密度光子晶體激光器領(lǐng)域取得了一系列突破性進(jìn)展,為激光應(yīng)用技術(shù)的未來發(fā)展注入了強勁動力。
光子晶體是一種具有周期性介電結(jié)構(gòu)的人工微納材料,能夠?qū)庾拥膫鞑ミM(jìn)行精確調(diào)控,被譽為“光學(xué)半導(dǎo)體”。中科院半導(dǎo)所的研究團隊,通過創(chuàng)新性的材料設(shè)計與精密制備工藝,成功研制出高功率密度、高光束質(zhì)量、高效率的光子晶體激光器。這類激光器的核心優(yōu)勢在于其獨特的能帶結(jié)構(gòu)——光子帶隙,它能夠有效抑制自發(fā)輻射,將能量高度集中在特定的激光模式中,從而實現(xiàn)極高的功率密度輸出。與傳統(tǒng)的邊發(fā)射或面發(fā)射激光器相比,光子晶體激光器在單模穩(wěn)定性、發(fā)散角控制和波長調(diào)諧靈活性方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
在技術(shù)實現(xiàn)路徑上,中科院半導(dǎo)所采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體外延生長技術(shù)(如MOCVD、MBE),在砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等襯底上制備出高質(zhì)量的多量子阱有源區(qū)與光子晶體結(jié)構(gòu)。通過優(yōu)化光子晶體的晶格常數(shù)、孔洞形狀及排列方式,研究團隊精確調(diào)控了激光的光子局域態(tài)密度,不僅提升了電光轉(zhuǎn)換效率,還顯著降低了閾值電流,增強了器件在高溫等苛刻環(huán)境下的工作穩(wěn)定性。實驗結(jié)果表明,其所研制的光子晶體激光器可實現(xiàn)千瓦級峰值功率輸出,光束質(zhì)量因子M2接近衍射極限,為高精度加工、遠(yuǎn)距離傳感等應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。
高功率密度光子晶體激光器的成功研制,正強力推動著多領(lǐng)域激光應(yīng)用技術(shù)的升級與革新:
中科院半導(dǎo)所的研究團隊將繼續(xù)致力于光子晶體激光器在更高功率、更寬波長覆蓋(特別是中紅外波段)、更高可靠性以及更低成本方面的探索。推動其與硅基光子學(xué)、柔性電子等前沿方向的融合,開發(fā)出集成度更高、功能更豐富的片上激光系統(tǒng)。
總而言之,中科院半導(dǎo)所在高功率密度光子晶體激光器領(lǐng)域取得的成就,不僅代表了我國在高端激光光源領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力,更如同一把鑰匙,開啟了激光技術(shù)邁向更高性能、更廣泛應(yīng)用場景的大門,將持續(xù)為國民經(jīng)濟主戰(zhàn)場和國家重大戰(zhàn)略需求提供關(guān)鍵的技術(shù)支撐與解決方案。
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更新時間:2026-01-27 05:15:49